银丰硅制品_硅粉_金属硅_硅溶胶厂家-山东银丰纳米新材料有限公司

化学抛光技术是机械作用和化学作用的结合，其实它的微观过程相当复杂，影响因素很多。CMP设备、抛光垫、抛光液、后清洗设备、抛光终点检测设备等，所有这些都对晶片的抛光质量和抛光速率有重要影响。其中，抛光液是影响CMP质量的决定性因素之一，不仅影响CMP的机械过程，也影响CMP的化学过程。目前国内外常用的抛光液有硅溶胶抛光液、氧化铝抛光液、氧化铈抛光液等。几种抛光液具有不同的应用特性：

　　硅溶胶抛光液：由于抛光液的选择要满足易清洗、抛光均匀性好、抛光速度快的特点，而且硅溶胶作为一种软性磨料，在二氧化硅磨粒表面包覆一层无色透明的胶体，使其硬度比二氧化硅磨粒软，粒度约为0.01-0.1um，使抛光面在加工过程中不易被划伤。同时，其胶体粒径为纳米，具有较大的比表面积。由于其高渗透性和分散性，其颗粒表面常吸附OH-并带负电荷，具有良好的疏水性和亲水性，因此广泛用于二氧化硅、硅片、蓝宝石等光学器件表面的抛光。由于二氧化硅的粒度很细，约为0.01-0.1m，抛光后工件表面的损伤层小。此外，二氧化硅的硬度与硅晶片的硬度相似，因此经常用于抛光半导体晶片。在抛光时，我们通常不使用气相法制备的微米级二氧化硅颗粒，而是使用纳米二氧化硅溶胶来降低表面粗糙度和损伤层的深度。二氧化硅是硅溶胶抛光液的重要组成部分，其粒径、密度、分散性等因素直接影响化学机械抛光的速率和质量。