化学机械抛光CMP材料是集成电路化学机械抛光工艺必不可少的耗材，化学机械抛光工艺是半导体制造过程中的关键流程之一，抛光材料则是该工艺必不可少的耗材。在整个半导体材料成本中，抛光材料仅次于硅片、电子气体和掩膜板，占比 7%， 是半导体制造的重要材料之一。

材料简介

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，通过采用较软的材料来实现高质量的表面抛光。抛光材料是 CMP 工艺必不可少的耗材。
根据功能的不同，可划分为抛光垫、抛光液、调节器，以及清洁剂等， 主要以抛光垫和抛光液为主。
重点介绍用于晶圆加工领域的化学机械抛光。

应用领域

晶圆加工、金属及非金属的表面加工

CMFP抛光原理

CMP 利用晶圆和抛光头之间的相对运动来实现平坦化，抛光头以一定压力压在旋转的抛光垫上，研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布在硅片和抛光垫之间，形成一层研磨液液体薄膜。主要包含以下 2 个过程：
1.化学过程：研磨液中的化学品和硅片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；
2.物理过程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。