对电子领域有了解的朋友，对聚酰亚胺（Polyimide，PI）薄膜肯定不陌生。聚酰亚胺是一类常见的具有酰亚胺重复单元的聚合物特种工程材料，具有适用温度广、耐化学腐蚀、高强度、高绝缘性能（103赫兹下介电常数4.0，介电损耗仅0.004~0.007，属F至H级绝缘）等优点，它作为一种优秀的工业电气屏蔽材料在1961年时被杜邦公司首次推出。

发展到今天，聚酰亚胺已被广泛应用在航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域。因其在性能和合成方面的突出特点，不论是作为结构材料或是作为功能性材料，其巨大的应用前景已经得到充分的认识，被称为是“解决问题的能手”（problemsolver），并认为“没有聚酰亚胺就不会有今天的微电子技术”。

二氧化硅可提高聚酰亚胺性能

由于聚酰亚胺是最好的屏蔽有机物之一，因此经常被用于高频电力变压器（HFPT）匝间绝缘。

不过，HFPT内部的高频正弦波会加重器件内部磁芯表皮的冲击和接近效应，导致相当大的介电降解和热增益。同时，由于界面上的热失控通量密度大大低于相同间隙的气隙崩溃幅值，在HFPT尖端失效处更容易发展蠕变放电，最终导致绝缘系统失效。因此为了延长聚酰亚胺的使用寿命，研究其高频蠕变放电并改善相关缺陷具有重要意义。

近日，就有一篇相关论文发表在《聚合物》杂志上，研究人员将不同掺杂的纳米SiO2引入到聚酰亚胺中进行纳米复合改性。对优良电压应力放电寿命的测量结果表明，掺杂10%SiO2的聚酰亚胺具有最长的使用寿命。